三星电子4纳米工艺良率接近台积电

据BusinessKorea报道，推特爆料人Revegnus 4月17日表示，三星的4纳米制程良率目前已非常接近台积电。

Revegnus表示，三星的良率恢复速度快于预期，而台积电的3纳米制程良率目前为63%或更低。

三星有望在其4纳米工艺中取得可观的良率提升，据许多业内消息人士透露，三星很可能已将其4纳米工艺的良率从大约60%提高到至少70%，而台积电的良率估计在80%左右。

在3月上旬，有消息称高通将发布的骁龙7+ （Snapdragon 7+ Gen 1）处理器将采用台积电的4纳米制程，这证明台积电比三星的4纳米制程更高效。三星在过去几年面临着效率和良率不好的问题，高通或许正慢慢地将订单从三星代工厂转移到台积电。

高通曾表示，未来3、4纳米AP芯片将由台积电代工，不过进入GAA制程后，有可能采取同步下单三星、台积电等多家代工厂的多供应商策略。

此外有报道称尽管三星在4纳米和5纳米存在问题，但据报道其3纳米 GAA要好得多。甚至有传言称它比台积电的3纳米更好，一些谣言还声称Snapdragon 8 Gen 3将使用三星的3纳米 GAA，但媒体也称，应该对这种说法持怀疑态度。