博世在美布局SiC，将严重依赖美国“芯片法案”的联邦资金

据evertiq报道，由于碳化硅（SiC）芯片的需求正持续增加，德国工业巨头博世近期计划通过收购美国芯片制造商TSI半导体，来应对这一需求。

博世表示，未来几年内，博世计划在TSI位于美国加利福尼亚州罗斯维尔的工厂投资超过15亿美元，并将TSI半导体制造设施改造为最先进的工艺。

报道称，这家美国公司拥有250名员工，是一家专门生产专用集成电路的代工厂。目前，公司主要在200毫米碳化硅晶圆上开发和生产大量芯片，用于移动、电信、能源和生命科学行业。从2026年开始，第一批芯片将在这些晶圆上生产。

通过TSI半导体，博世正在加强其半导体业务，并将在2030年底之前大幅扩展其全球碳化硅芯片产品系列。更为重要的是，博世要准备好满足全球经济繁荣和电动汽车发展对碳化硅半导体的巨大需求。

然而，博世也明确表示，计划中的投资将严重依赖于美国《芯片和科学法案》获得的联邦资金，以及加利福尼亚州的经济发展机会。

两家公司已达成协议，不披露交易的任何财务细节，交易尚待监管部门批准。

“通过收购TSI半导体，我们在一个重要的销售市场建立了碳化硅芯片的制造能力，同时也增加了我们在全球的半导体制造。罗斯维尔现有的洁净室设施和专家人员将使我们能够更大规模地生产用于电动汽车的碳化硅芯片。”博世董事会主席Stefan Hartung博士在新闻稿中表示。